富士電機(jī)開(kāi)發(fā)了IGBT模塊作為電動(dòng)機(jī)的可變速驅(qū)動(dòng)裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)元件。IGBT是同時(shí)具有功率MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件。
特長(zhǎng)
實(shí)現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時(shí)可保證連續(xù)運(yùn)行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無(wú)焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開(kāi)關(guān)特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過(guò)降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動(dòng)
富士IGBT模塊 N系列
N系列是富上電機(jī)原第三代產(chǎn)品，原來(lái)采用傳統(tǒng)PT工藝，該系列在日本本土變頻器生產(chǎn)中早已到廣泛應(yīng)用。之后歐派克出現(xiàn)了采用NPT工藝的第四代IGBT模塊。該系列在1200V和1700V門(mén)電壓等級(jí)中有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，成本亦大幅度下降。而用于交流380V電壓等級(jí)的產(chǎn)品中（相應(yīng)IGBT模塊電壓等級(jí)為1200V）毆派克在國(guó)產(chǎn)變頻器中占主導(dǎo)市場(chǎng)地位。但NPT工藝的模塊在交流220V電莊等級(jí)產(chǎn)品在中（相應(yīng)IGBT模塊電壓等級(jí)為600V）其優(yōu)勢(shì)不明顯，致使富士電機(jī)N系列600V電壓等級(jí)IGBT尚不能被取代。在中國(guó)市場(chǎng)上UPS產(chǎn)品主要是單進(jìn)單出（交流220V）占有很大市場(chǎng)。N系列600V電壓等級(jí)的IGBT模塊，應(yīng)用對(duì)象是UPS產(chǎn)品以及其他交流電壓為220V的電源變換產(chǎn)品
富士IGBT模塊 N系列
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|
型號(hào) |
VCES |
IC |
PC |
VCEsat |
封裝 |
|
2MBI50N-060 |
600 |
50 |
250 |
2.8 |
M232 |
|
2MBI75N-060 |
600 |
75 |
320 |
2.8 |
M232 |
|
2MBI100N-060 |
600 |
100 |
400 |
2.8 |
M232 |
|
2MBI150N-060 |
600 |
150 |
600 |
2.8 |
M233 |
|
2MBI200N-060 |
600 |
200 |
780 |
2.8 |
M233 |
|
2MBI300N-060 |
600 |
300 |
1,100 |
2.8 |
M233 |
|
2MBI400N-060 |
600 |
400 |
1,500 |
2.8 |
M235 |
|
2MBI600NT-060 |
600 |
600 |
2,500 |
2.9 |
M238 |
|
1MBI600NN-060* |
600 |
600 |
2,000 |
2.8 |
M129 |
|
1MBI600NP-060* |
600 |
600 |
2,000 |
2.8 |
M128 |
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型號(hào) |
VCES |
IC |
PC |
VCEsat |
封裝 |
|
2MBI50N-120 |
1,200 |
50 |
400 |
3.3 |
M232 |
|
2MBI75N-120 |
1,200 |
75 |
600 |
3.3 |
M232 |
|
2MBI100N-120 |
1,200 |
100 |
780 |
3.3 |
M234 |
|
2MBI150N-120 |
1,200 |
150 |
1,100 |
3.3 |
M234 |
|
2MBI200N-120 |
1,200 |
200 |
1,500 |
3.3 |
M234 |
|
2MBI300N-120 |
1,200 |
300 |
2,100 |
3.3 |
M236 |
|
1MBI200N-120 |
1,200 |
200 |
1,500 |
3.3 |
M127 |
|
1MBI300N-120 |
1,200 |
300 |
2,100 |
3.3 |
M127 |
|
1MBI400N-120 |
1,200 |
400 |
3,100 |
3.3 |
M127 |
